Rof elektrooptiline modulaator 780nm LiNbO3 intensiivsusmodulaator 10G

Lühike kirjeldus:

LiNbO3 intensiivsusmodulaatorit kasutatakse laialdaselt kiirete optiliste sidesüsteemide, lasersensorite ja ROF-süsteemide puhul tänu heale elektrooptilisele jõudlusele. MZ push-pull struktuuril ja X-cut disainil põhinev R-AM seeria omab stabiilseid füüsikalisi ja keemilisi omadusi, mida saab rakendada nii laborikatsetes kui ka tööstussüsteemides.

Saada meile e-kiri LAADI ALLA

Toote üksikasjad

Rofea Optoelectronics pakub optilisi ja fotoonika elektrooptilisi modulaatoreid

Tootesildid

Funktsioon

* Madal sisestamise kaotus
* Suur ribalaius
* Madal poollaine pinge
* Kohandamisvõimalus

Elektrooptiline modulaator Elektrooptiline modulaator LiNbO3 intensiivsusmodulaator MZM modulaator Mach-Zehnderi modulaator LiNbO3 modulaator Liitiumniobaadi modulaator

Taotlus

⚫ ROF-süsteemid
⚫ Kvantvõtmete jaotus
⚫ Lasersensori süsteemid
⚫ Külgriba modulatsioon

Rof-AM-seeria	Rof-AM-07	Rof-AM-08	Rof-AM-10	Rof-AM-13	Rof-AM-15
Töölainepikkus	780 nm	850 nm	1064 nm	1310 nm	1550 nm
Ribalaius	10 GHz	10 GHz	10/20GHz	2,5 GHz	50GHz	10 GHz	20 GHz	40 GHz
Sisestamise kaotus	<5dB	<5dB	<5dB	<5dB	<4dB
Väljasuremise suhtarv @DC	>20dB	>20dB	>20dB	>20dB	>20dB
V_ΠRF-sagedus (1 kHz)	<3V	<3V	<4V	<3,5 V	<6V	<5V
V_Π@Bias	<3.5V	<3.5V	<5V	<5V	<8V	<7V

Tellimisinfo

Rof

XXG

Tüüp: AM---intensiivsuse modulaator

Lainepikkus:

07---780nm
08---850nm

10–1060 nm

13---1310 nm

15–1550 nm

Ribalaius:

10 GHz

20 GHz

40 GHz

50 GHz

Monitori PD:

PD---PD-ga
00 --- Ei ole PD-d

Sisse-välja kiu tüüp: PP---PM/PM

Optiline pistik: FA---FC/APCFP---FC/PC

SP---Kohandamine

R-AM-07-10G

Lainepikkusega 710 nm 10 GHz intensiivsusmodulaator

Parameeter				Sümbol		Min	Tüüp	Maks	Ühik
Optilised parameetrid
Töölainepikkus				l		760	780	800	nm
Sisestamise kaotus				IL			4.5	5	dB
Optiline tagasivoolu kaotus				ORL				-45	dB
Lüliti ekstinktsioonisuhe @DC				ER@DC		20	23		dB
Optiline kiud	Sisendsadam					PM780kiud (125/250 μm)
	väljundport					PM780kiud (125/250 μm)
Optilise kiu liides						FC/PC, FC/APC või kohandamine
Elektrilised parameetrid
Tööribalaius()-3dB）					S₂₁	10	12		GHz
Poollaine pinge Vpi		RF			@1KHz		2.5	3	V
		Eelarvamus			@1KHz		3	4	V
Elektriline tagasivoolukadu					S₁₁		-12	-10	dB
Sisendtakistus			RF		Z_RF	50			W
			Eelarvamus		Z_BIAS	1M			W
Elektriline liides						SMA(f)

Piirtingimused

Parameeter	Sümbol	Ühik	Min	Tüüp	Maks
Sisendoptiline võimsus	P_{sisse, Max}	dBm			20
Sisend RF-võimsus		dBm			28
eelpinge	Vbias	V	-15		15
Töötemperatuur	Ülemine	℃	-10		60
Säilitustemperatuur	Tst	℃	-40		85
Niiskus	RH	%	5		90

S21 kõver

&S11 kõver

S21 ja s11 kõverad

Mehaaniline diagramm

SADAM	Sümbol	Märkus
Sisse	Optiline sisendport	PM-kiud (125 μm/250 μm)
Välja	Optiline väljundport	PM ja SMF valik
RF	RF-sisendport	SMA(f)
Eelarvamus	Eelpinge juhtimise port	1,2 eelpinget, 34-N/C

Eelmine: Rof elektrooptiline modulaator 1550nm LiNbO3 intensiivsusmodulaator 50G

Järgmine: Rof elektrooptiline modulaator 1064nm Eo modulaator LiNbO3 faasimodulaator 2G

Rofea Optoelectronics pakub tootesarja, mis hõlmab kaubanduslikke elektrooptilisi modulaatoreid, faasimodulaatoreid, intensiivsusmodulaatoreid, fotodetektoreid, laservalgusallikaid, DFB-lasereid, optilisi võimendeid, EDFA-d, SLD-lasereid, QPSK-modulatsiooni, impulsslasereid, valgusdetektoreid, tasakaalustatud fotodetektoreid, laserdraivereid, kiudoptilisi võimendiid, optilisi võimsusmõõtureid, lairibalasereid, häälestatavaid lasereid, optilisi detektoreid, laserdioodidraivereid ja kiudvõimendeid. Pakume ka paljusid spetsiifilisi modulaatoreid kohandamiseks, näiteks 1*4 massiivi faasimodulaatoreid, ülimadala Vpi ja ülikõrge ekstinktsioonisuhtega modulaatoreid, mida kasutatakse peamiselt ülikoolides ja instituutides.
Loodame, et meie tooted on teile ja teie uurimistööle abiks.